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那么，丑媳妇要见公婆了，Micro LED进入商业化的门槛主要有以下几项：
■ 技术门槛
◆ 磊晶波长的均匀性 (Wafer Uniformity)
◆ 微缩的芯片制程 (Chip Process)
◆ 鬼斧神工的巨量转移 (Mass Transfer)
◆ 连结材料的难题 (Bonding Material)
◆ 暧昧的驱动IC (Driver IC)
■ 商业门槛
◆ 应用规格与标准尚未建立
◆ 技术路线分散
◆ 庄家未明的商业模式
◆ 关键材料产能
◆ 理所当然的与竞争技术竞赛
如果一点一点细说从头，那么太阳都下山了，青春也回不来了，所以我们先从技术面开始，来一趟简单、明了、无负担的重点式回顾吧！有鉴于最多人讲的问题就是“巨量转移”，所以我决定…不讲巨量转移，讲讲比较少人讨论的问题—LED波长的均匀性。
LED磊晶波长的均匀性(Uniformity)
LED从wafer切成chip后，每个LED chip并不会呈现完美一致的波长，晶圆上的个别芯片波长会呈现高斯分布(Gaussian distribution，另一种说法是常态分布)，一个标准差(Standard Deviation，缩写SD，符号为σ)大约是1.5~2 nm，整个晶圆的最大波长与最小波长涵盖范围去掉边缘的偏离值，就大约是六个标准差，也就是9~12 nm，1987年Motorola提出的非常有名的“六个标准差”制造管理标准，其原理也就来自于这个高斯分布。
举个例子来理解高斯分布，假设晶圆的平均值是450 nm的蓝光，σ控制在1.5 nm，那整片Wafer的波长范围可以理解为445.5 nm~454.5 nm，客户定的规格如果是450nm，允许公差是正负1.5 nm，那整片Wafer大约有68.2%的chip可以出货(涵盖两个标准差)，波长偏长的15.9%与波长偏短的15.9%都出局了，需要另外寻找对应的需求。
故事其实还没有结束，方才只是讨论晶圆内的公差而已，晶圆间的公差、Chamber间的公差还会再把范围拉大，而且这还只是讨论最成熟的蓝光，绿光的标准差又是另外一个故事了。
庆幸的是对于传统LED来说，可以靠分Bin、配Bin达到显示的要求，只要靠后段挑选把目标波长集中在一起，针对需求配对出货，波长不均虽然会造成麻烦，倒也不至于成为商业化门槛。
图：Selective Transfer抓取头(来源：Luxvue/X-Celeprint专利)
但Micro LED就没这么好混了，毕竟要直接转移整个区块的chip到显示背板上，而且因为PPI的考虑可能必须跳着抓取，这里我稍微解释一下，由于显示的LED密度没有晶圆密度高，所以转移模组上需要搭配选择性转移(Selective Transfer)的抓取头，举例来说，如果显示器的pixel pitch是晶圆die pitch的三倍，转移模组在晶圆上抓取时只要跳三抓一就会刚刚好match(抓第1、4、7、10…以此类推)，于是转移的涵盖面积越大，均匀性的要求就越高，理想情况是在磊晶阶段就把晶匀性控制的无可挑剔，这样无论芯片怎么选怎么转移都没有色差，这种100%波长合格的晶圆有多难？标准差得控制在目前水平的十分之一，也就是σ=0.2 nm以内，这是不是一个“Micro LED Ready”的标准还很难说，但做为理解难度的标准，够了。
来源：X-Celeprint
如何解决Uniformity的障碍？
(1) 往小尺寸、高ppi走：
解决问题最速效、最直观的方法其实很简单，就是—“不要去解决它”，史诺不是有意挑衅读者，毕竟当路上的石头太大搬不开时，最好的方法就是别搬，绕过它！只要往小尺寸、高PPI的应用走，转移的晶圆范围不大、晶粒之间的距离也不远，均匀性问题自然就会淡化许多，更别说当画面小时，对色彩与画面的细节也没这么敏感了。
而且对于转移来说，单次转移数量也是个问题，面积够小还可以走捷径使用Wafer Bonding(嗯？不是说好不讲转移吗？)，所以把穿戴式当第一步好合理啊！省电瞬间觉得自己成了借口。
iWatch概念图(作者：Todd Hamilton/来源：appleinsider）
(2) 更改磊晶结构：
增加类似Buffer Layer的结构也能改善磊晶的均匀性，其中一个例子就是AlN缓冲层。
(3) 重新设计MOCVD：
两大巨头Veeco和Aixtron都在设计Micro LED专用的MOCVD，大致是往减少Chamber内Wafer数量的方向前进。
(4) 电路补偿：
如果从成本结构的角度来看，提高LED Uniformity的代价太高，那么，学学OLED靠后段电路补偿可以了吧？反正调校横竖都得做，做到什么程度的问题而已，Micro LED Display要走向商业化，自然会去思考该用几分的LED配上几分的驱动电路，不得不说，亚洲制造业对于寻找最经济实惠的制造组合这档事，思维与能力都是全球领先的，这点我们完全不需担心。
(5) 新的Transfer方法：
同样的道理，如果追求均匀性的代价高过大范围巨量转移增加的效率，也该做些妥协或是易辙改弦，比如减少单次转移的数量，或是提出更创新的转移方法，突破pitch固定的诅咒，让大面积的显示器能使用小面积的晶圆。尤其当Micro LED往显示屏或是电视这种大尺寸应用走时，创新的转移方法会是商业化的重要关键。
(6) 采用量子点做全彩：
单色的均匀性跟全彩的均匀性本来就是不同的量级，量子点提供单色LED加光转换层的可能性，等于给了Micro LED一条全彩的捷径，不仅大幅简化了转移流程、逃避了难做的绿光和寡占的红光，另一个美好且不该忽略的事实是，它把LED从波长均一的包袱中解放了！不管你是440还是460，只要激发一个450的量子点，结果就是450蓝光，而且波长是用转换的，不是用过滤的，理论效率可以很高。
最后请允许我贴上文章作者和来源——
文/行家说特约观察员囧史诺
来源：行家说APP。阅读全文请戳：Micro LED Display的商业化门槛之波长均匀性
另（原文要求注明的图文）：注：本文首发行家说APP，更多文章请进入APP阅读。另，经作者要求，如需转载，请完整转载全文（包括此条声明的所有图文）谢绝未经许可的其它形式转载，不懂就问hangjia199
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◆ 连结材料的难题 (Bonding Material)
◆ 暧昧的驱动IC (Driver IC)
■ 商业门槛
◆ 应用规格与标准尚未建立
◆ 技术路线分散
◆ 庄家未明的商业模式
◆ 关键材料产能
◆ 理所当然的与竞争技术竞赛
如果一点一点细说从头，那么太阳都下山了，青春也回不来了，所以我们先从技术面开始，来一趟简单、明了、无负担的重点式回顾吧！有鉴于最多人讲的问题就是“巨量转移”，所以我决定…不讲巨量转移，讲讲比较少人讨论的问题—LED波长的均匀性。
LED磊晶波长的均匀性(Uniformity)
LED从wafer切成chip后，每个LED chip并不会呈现完美一致的波长，晶圆上的个别芯片波长会呈现高斯分布(Gaussian distribution，另一种说法是常态分布)，一个标准差(Standard Deviation，缩写SD，符号为σ)大约是1.5~2 nm，整个晶圆的最大波长与最小波长涵盖范围去掉边缘的偏离值，就大约是六个标准差，也就是9~12 nm，1987年Motorola提出的非常有名的“六个标准差”制造管理标准，其原理也就来自于这个高斯分布。
举个例子来理解高斯分布，假设晶圆的平均值是450 nm的蓝光，σ控制在1.5 nm，那整片Wafer的波长范围可以理解为445.5 nm~454.5 nm，客户定的规格如果是450nm，允许公差是正负1.5 nm，那整片Wafer大约有68.2%的chip可以出货(涵盖两个标准差)，波长偏长的15.9%与波长偏短的15.9%都出局了，需要另外寻找对应的需求。
故事其实还没有结束，方才只是讨论晶圆内的公差而已，晶圆间的公差、Chamber间的公差还会再把范围拉大，而且这还只是讨论最成熟的蓝光，绿光的标准差又是另外一个故事了。
庆幸的是对于传统LED来说，可以靠分Bin、配Bin达到显示的要求，只要靠后段挑选把目标波长集中在一起，针对需求配对出货，波长不均虽然会造成麻烦，倒也不至于成为商业化门槛。
图：Selective Transfer抓取头(来源：Luxvue/X-Celeprint专利)
但Micro LED就没这么好混了，毕竟要直接转移整个区块的chip到显示背板上，而且因为PPI的考虑可能必须跳着抓取，这里我稍微解释一下，由于显示的LED密度没有晶圆密度高，所以转移模组上需要搭配选择性转移(Selective Transfer)的抓取头，举例来说，如果显示器的pixel pitch是晶圆die pitch的三倍，转移模组在晶圆上抓取时只要跳三抓一就会刚刚好match(抓第1、4、7、10…以此类推)，于是转移的涵盖面积越大，均匀性的要求就越高，理想情况是在磊晶阶段就把晶匀性控制的无可挑剔，这样无论芯片怎么选怎么转移都没有色差，这种100%波长合格的晶圆有多难？标准差得控制在目前水平的十分之一，也就是σ=0.2 nm以内，这是不是一个“Micro LED Ready”的标准还很难说，但做为理解难度的标准，够了。
来源：X-Celeprint
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(1) 往小尺寸、高ppi走：
解决问题最速效、最直观的方法其实很简单，就是—“不要去解决它”，史诺不是有意挑衅读者，毕竟当路上的石头太大搬不开时，最好的方法就是别搬，绕过它！只要往小尺寸、高PPI的应用走，转移的晶圆范围不大、晶粒之间的距离也不远，均匀性问题自然就会淡化许多，更别说当画面小时，对色彩与画面的细节也没这么敏感了。
而且对于转移来说，单次转移数量也是个问题，面积够小还可以走捷径使用Wafer Bonding(嗯？不是说好不讲转移吗？)，所以把穿戴式当第一步好合理啊！省电瞬间觉得自己成了借口。
(2) 更改磊晶结构：
增加类似Buffer Layer的结构也能改善磊晶的均匀性，其中一个例子就是AlN缓冲层。
(3) 重新设计MOCVD：
两大巨头Veeco和Aixtron都在设计Micro LED专用的MOCVD，大致是往减少Chamber内Wafer数量的方向前进。
(4) 电路补偿：
如果从成本结构的角度来看，提高LED Uniformity的代价太高，那么，学学OLED靠后段电路补偿可以了吧？反正调校横竖都得做，做到什么程度的问题而已，Micro LED Display要走向商业化，自然会去思考该用几分的LED配上几分的驱动电路，不得不说，亚洲制造业对于寻找最经济实惠的制造组合这档事，思维与能力都是全球领先的，这点我们完全不需担心。
(5) 新的Transfer方法：
同样的道理，如果追求均匀性的代价高过大范围巨量转移增加的效率，也该做些妥协或是易辙改弦，比如减少单次转移的数量，或是提出更创新的转移方法，突破pitch固定的诅咒，让大面积的显示器能使用小面积的晶圆。尤其当Micro LED往显示屏或是电视这种大尺寸应用走时，创新的转移方法会是商业化的重要关键。
(6) 采用量子点做全彩：
单色的均匀性跟全彩的均匀性本来就是不同的量级，量子点提供单色LED加光转换层的可能性，等于给了Micro LED一条全彩的捷径，不仅大幅简化了转移流程、逃避了难做的绿光和寡占的红光，另一个美好且不该忽略的事实是，它把LED从波长均一的包袱中解放了！不管你是440还是460，只要激发一个450的量子点，结果就是450蓝光，而且波长是用转换的，不是用过滤的，理论效率可以很高。
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