三星的finfet技术从哪里来的？ 举报 理由 举报 取消 是独立研发的，还是从intel、格罗方德买来的？格罗方德的finfet又是从哪里来的？ 2017年10月18日 2 条回复 1346 次浏览 Foundry,Intel,Samsung,三星电子,代工,半导体产业,微电子,晶圆,英特尔
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貌似挖角梁孟松发挥了极大作用，同时，三星的独立研发，也使得14纳米finfet工艺的
良率极好，不仅力压台积电，连美国本土资助finfet技术研发的骨干半导体企业ibm、
格罗方德也必须与其合作，才能提高14纳米以下工艺良率。（顺及，intel先松口可能
采用fd-soi技术，但目前在10纳米工艺上已经不敢再提，其状甚为可疑，貌似finfet与
soi工艺整合不够成功，而担心坦诚不顺利将影响股价；与之相比，ibm10纳米路线已经
非常明确，见最后。）
考据了一下。finfet技术的研究由美国军方和美国半导体骨干企业联合资助，始于1998
年，目标是解决25纳米之后半导体器件的微细化问题，由加大伯克利分校胡正明院士领
导的研究小组承研并成功突破。finfet技术由intel公司在2012年22纳米节点率先采
用。
2001年-2004年期间，胡正明担任台积电CTO；
2009年，台积电研发负责人梁孟松去职，2011年就职于三星电子，2009年-2011年期间
在韩国一大学授课，其课程多有三星公司资深工艺人员听讲。
2012年，三星14纳米finfet测试芯片完成流片；
2014年4月，格罗方德获三星14纳米finfet技术授权；
2014年10月，IBM将22纳米FD_SOI芯片工艺厂及全套专利技术出售格罗方德，并由后者
代工其14纳米和10纳米芯片（按大蓝的规划，这两代用finfet+soi）；
2015年1月，台积电脱离IBM研发联盟；
2015年2月，三星14纳米finfet芯片量产；
2015年4月，格罗方德14纳米finfet芯片量产；
2015年7月，台积电16纳米finfet芯片量产。
2015年1月-2015年12月31日，梁孟松再次被禁止在三星就职。
2015年7月，IBM、三星、格罗方德、纽约州立大学联合突破了7纳米关键技术，整合了
全套7纳米制备工艺，研制出包含200亿晶体管的7纳米测试芯片（finfet+soi，硅锗沟
道，极紫外光刻）。
finfet技术不是伯克利的胡正明教授发明的么